임주영 송진동 최원준 이정일 양해석 Cho, Woon Jo 2024-01-21T03:34:19Z 2024-01-21T03:34:19Z 2021-09-06 2006-03 2288-6559 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135689 분자선 에피택시 (MBE)법으로 성장된 양자점 원적외선 수광소자(Quantum Dot Infrared Photodetector: QDIP)구조의 In0.5Ga0.5As/GaAs 자발형성 양자점에 대하여, 수소화 처리(Hydrogen Plasma treatment) 전후의 각각의 특성을 광학적인 방법으로 분석하였다. 광학적 특성은 광루미네센스(photoluminescence: PL) 그리고 광전류(Photocurrent: PC)방법으로 각각 15K ？ 300K, 10K ？ 130K 범위에서 측정되었으며, 수소화 처리 전후의 In0.5Ga0.5As 자발형성 양자점의 광학적 특성을 비교 분석해보면, 원시료(as-grown)의 하나의 봉우리가 수소화 처리를 통하여 두개의 봉우리로 나뉘지만 PL의 전체 세기(intensity)에는 큰 변화가 없었으며, 광전류는 수소화 처리 후에 감소함을 알 수 있다. 수소화 처리 전후의 샘플에 대해 PL의 결과로부터 활성화 에너지를 계산하여 비교해보면, 수소화 처리 전후의 활성화 에너지가 다름을 알 수 있고, 이 변화된 활성화 에너지 값은 측정된 광전류의 봉우리에 해당하는 에너지 값과 거의 일치함을 알 수 있다. 수소화 처리된 샘플은 역 수소화 처리를 통하여 PL 그래프의 모양이 원시료의 모양으로 되돌아가야 함에도 불구하고, 수소화 처리된 시료의 PL의 그래프와 동일한 모습을 보였다. 이러한 현상은 자발형성 양자점의 수소화 처리에 따른 양자점 내부의 양자점 조성의 변동에 그 원인이 있는 것으로 보인다. Korean 한국진공학회 MBE로 성장된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향 Anomalous Effect of Hydrogenation on the Optical CharacterizationIn0.5Ga0.5As Quantum Dot Infrared Photodetectors Article 2 한국진공학회지, v.15, no.2, pp.223 - 230 한국진공학회지 15 2 223 230 N kci ART001001297 양자점 양자점 적외선 수광소자 수소화 처리 광루미네센스 Quantum dot Quantum dot infrared photodetector Hydrogen plasma treatment Photoluminescence Quantum dot Quantum dot infrared photodetector Hydrogen plasma treatment Photoluminescence