남형도 곽호상 L.Doyennette 송진동 최원준 이정일 조용훈 F. H. Julien 최정우 양해석 Cho, Woon Jo 2024-01-21T03:34:30Z 2024-01-21T03:34:30Z 2021-09-06 2006-03 2288-6559 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135693 PL (photoluminescence), PLE (PL excitation) 그리고 근 적외선 투과 분광법을 활용하여 InAsGa/GaAs 우물 내 InAs 양자점 구조의 광학적 특성과 전자 버금 띠 구조에 대하여 연구하였다. 투과 스펙트럼과 PLE 스펙트럼으로부터 InAs 양자점 내 세 개의 구속 상태와 InGaAs/GaAs 우물 내에 두 개의 구속 상태가 존재함을 발견하였고, 광전류 스펙트럼에서 관측된 버금 띠 사이 전이들과 연관 지어 해석하였다. Korean 한국진공학회 광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위 Optical Characteristic of InAs Quantum Dots in an InGaAs/GaAs Well Structure Article 2 한국진공학회지, v.15, no.2, pp.209 - 215 한국진공학회지 15 2 209 215 N kci ART001002261 양자점 양자점 적외선 수광소자 전자 버금 때 비대칭 우물내의 양자점 We investigated the optical property and the electronic subband structure of InAs quantum dots in an InAsGa/GaAs well structure utilizing photoluminescence (PL) PL excitation (PLE) and near infrared transmission spectroscopy. From transmission and PLE spectra we found three bound states in the InAs quantum dot and two bound states in InGaAs/GaAs quantum well and correlated to the results of intersubband transitions observed in photocurrent spectrum.