박종국 변영태 박진우 2024-01-21T04:11:30Z 2024-01-21T04:11:30Z 2021-09-06 2005-10 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136078 mart-cut 기술을 응용하여 GOI 웨이퍼 제작에 필요한 웨이퍼 직접접합 공정이 GaAs와 Si 웨이퍼를 이용하여 연구되었다. 초기 접합된 웨이퍼에 압력을 인가하기 위해서 흑연 시료 고정 장치가 이용되었다. 그리고 접합력을 측정하기 위해서 shear force 측정 장치가 제작되었다. 접합된 GaAs/Si 웨이퍼는 약 200 $^\circ$C에서 열처리된 후 분리되었다. 접합된 웨이퍼가 떨어지지 않는 열처리 온도를 증가시키기 위해 GaAs/SiO$_2$/Si 직접 접합이 조사되었다. 그 결과 열처리 온도가 300 $^\circ$C일 때 70 N의 최대 접합력이 얻어졌다. 한국물리학회 GOI 제작을 위한 GaAs와 Si 웨이퍼의 직접 접합에 대한 실험적 고찰 Experimental Study on Direct Bonding of GaAs and Si wafers for GOI Fabrication Article 2 새물리, v.51, no.4, pp.322 - 327 새물리 51 4 322 327 kci ART000974219 GaAs-on-insulator (GOI) Wafer direct bonding Smart-cut 웨이퍼 직접 접합 GaAs-on-insulator (GOI) Wafer direct bonding Smart-cut