변영태 김선호 전영민 2024-01-21T04:31:50Z 2024-01-21T04:31:50Z 2021-09-06 2005-09 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136164 Smart-cut 기술을 응용하여 GOI 웨이퍼 제작에 필요한 산화막이 습식산화 (wet oxidation) 기법과 PECVD 공정을 이용하여 연구되었다.산화막의 두께와 데이터 분포 (range)는 나노스펙 (NANOSPEC)을 이용하여측정되었다. PECVD 산화막의 거칠기를 줄이기 위해ECVD 산화막은습식산화 기법을 이용하여 산화되었다. 열처리된 산화막의 데이터 분포는열산화막의 값(12 \AA)으로 감소되었다. 또한, 산화막 표면에 크랙이형성되지 않는 산화온도와 산화막의 두께가 조사되었다. 그 결과산화온도가 650 - 800 $^\circ$C일 때 5000 \AA ~이하의 산화막 두께에대해서 크랙이 형성되지 않는다 것을 알았다. 한국물리학회 GOI 제작을 위한 습식 산화막과 PECVD 산화막에 대한 실험적 고찰 Experimental Study on Wet Thermal and PECVD Oxides for GOI Fabrication Article 2 새물리, v.51, no.3, pp.254 - 259 새물리 51 3 254 259 kci ART000972709 열산화막 PECVD 산화막 열팽창 계수 GaAs-on-insulator (GOI) Thermal oxide PECVD oxide Thermal expansion coe cient