이정오 이종욱 이관희 정원용 이종엽 2024-01-21T04:35:07Z 2024-01-21T04:35:07Z 2022-01-10 2005-08 1229-1935 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136226 본 연구에서는 구연산 수용액 전해질을 제조하여 전기도금 방식에 의해 III-V족 화합물 반도체 InSb를 전기화학적으로 합성하였다. 본 연구에서 제조된 InSb는 기존문헌에서 보고된 바와 달리 EPMA 분석결과 In과 Sb의 조성비가 52:48로 화학양론을 정확하게 만족시키고 있고, XPS 분석결과 전해질내의 구연산의 농도가 1.2 M, pH가 4일 때 444.1 eV에서 InSb 화합물의 피크를 관찰하였으며 구연산의 농도가 1.2 M보다 낮거나 pH가 4보다 낮을 때는 InSb 화합물과 금속상태의 In이 혼재되어 있는 것을 확인하였다. 또한 XRD를 통하여 InSb(111)의 우선결정방위를 갖는다는 것을 확인하였고, I-V 특성 곡선 측정을 통해 InSb가 고유한 반도체 특성을 보임을 확인하였다. Korean 한국전기화학회 III-V 화합물 반도체 InSb의 전기화학적 제조 Electrochemical Formation of III-V Compound Semiconductor InSb Article 2 전기화학회지, v.8, no.3, pp.135 - 138 전기화학회지 8 3 135 138 N kci ART001790025 InSb III-V Compound Semiconductor Electrodeposition