이은옥 박종극 임대순 백영준 2024-01-21T06:01:36Z 2024-01-21T06:01:36Z 2021-09-06 2004-12 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136969 Si(100) 기판 위에 RF UBM 스퍼터링 (Unbalanced Magnetron Sputtering) 방법을 이용하여 BN 박막을 증착하였다. 이온 충돌 에너지에 영향을 주는 증착 압력과 기판 바이어스 전압을 변화시켜, 증착된 BN 박막의 미세구조와 압축응력의 변화를 살펴보았다. 높은 증착 압력에서는 hBN laminate의 정렬도가 기판 바이어스 전압이 증가함에 따라 선형적으로 증가한 반면, 낮은 증착 압력에서는 낮은 기판 바이어스 전압에서 hBN laminate의 정렬도가 높게 나타났다. hBN 박막의 응력 변화와 표면 형상은 hBN laminate의 정렬도와 밀접한 관계가 있는 것으로 관찰되었는데, 이의 적절한 조절에 의해 압축응력의 증가 없이도 hBN 박막 위에 cBN 상의 핵형성이 일어날 수 있었다. 한국진공학회 RF UBM Sputtering에 의해 증착된 hBN 박막의 미세구조가 cBN 상의 핵형성에 미치는 영향 Effect of Microstructure of hBN Thin Films on the Nucleation of cBN Phase Deposited by RF UBM Sputtering System Article 3 Applied Science and Convergence Technology, v.13, no.4, pp.150 - 156 Applied Science and Convergence Technology 13 4 150 156 ART000933972 cBN hBN laminate의 정렬도 압축응력 cBN 핵형성 cBN alignment of hBN laminate compressive stress cBN nucleation cBN alignment of hBN laminate compressive stress cBN nucleation