심흥택 전법주 변동진 이중기 2024-01-21T06:01:58Z 2024-01-21T06:01:58Z 2021-09-06 2004-12 1229-1935 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/136976 플라즈마 화학 기상 증착법으로 구리 기판(35 ㎛) 표면 위에 SiH4와 Ar 혼합가스를 공급하여 실리콘 박막을 증착한 후 리튬 이온전지의 음극으로 활용하였다. 증착 온도에 따라 비정질 실리콘 박막과 copper silicide박막 형태의 다른 두 종류의 실리콘 박막 구조가 형성되는 것이 관찰되었다. 200℃이하의 온도에서는 비정질 실리콘 막이 증착되었고, 400℃ 이상의 온도에서는 실리콘 라디칼과 확산된 구리 이온의 반응에 의한 그래뉼러 형태의 copper silicide박막이 형성되었다. 비정질 실리콘 박막은 copper silicide박막 보다 높은 용량을 나타냈으나 충ㆍ방전 반응에 의한 급격한 용량 손실을 나타냈다. 이것은 비정질 실리콘 막의 부피 팽창에 의한 것으로 추정 된다. 그러나 copper silicide박막을 음극으로 사용했을 때는 copper silicide를 형성한 실리콘과 구리의 화학결합이 막 구조의 부피변화를 감소 시켜줄 뿐 아니라 낮은 전기 저항을 갖기 때문에 싸이클 특성이 향상되었 다. 한국전기화학회 PECVD 법으로 구리 막 위에 증착된 실리콘 박막의 이차전지 음전극으로서의 전기화학적 특성 Electrochemical Characteristics of the Silicon Thin Films on Copper Foil Prepared by PECVD for the Negative Electrodes for Lithium Ion Rechargeable Battery Article 2 전기화학회지, v.7, no.4, pp.173 - 178 전기화학회지 7 4 173 178 N kci other ART000933421 PECVD Silicon thin film Copper silicide Anode Li ion battery PECVD Silicon thin film Copper silicide Anode Li ion battery