변영태 김선호 전영민 2024-01-21T06:08:03Z 2024-01-21T06:08:03Z 2021-09-06 2004-11 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/137089 단일모드 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기가 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 성장기법과 화학적인 습식식각 방법을 이용하여 제작되었다. P-p-n-N 이중의 이종접합(double heterostructure) 위상변조기의 위상변조 특성은 역 바이어스 전압을 변화시키면서 Mach-Zehnder 간섭 방법을 이용하여 1.55 $\mu$m 파장에서 측정되었다. TE 편광에서 측정된 스위칭 전압은 2.2 볼트이고 위상변조 효율은 40.9$^\circ$/V$\cdot$mm로 높게 얻어졌다. 이 위상 변조 효율은 1.55 $\mu$m 파장에서 GaAs/AlGaAs 와 InGaAsP/InP 위상변조기들에서 보고된 가장 큰 실험 값이다. 한국물리학회 1.55 m 파장에서 P-p-n-N GaAs/AlGaAs 위상변조기의 높은 위상변조 효율 High Phase Modulation Efficiency of P-p-n-N GaAs/AlGaAs Phase Modulator at 1.55m Article 2 새물리, v.49, no.5, pp.406 - 411 새물리 49 5 406 411 kci ART000939502 P-p-n-N waveguide phase modulator GaAs/AlGaAs ridge waveguide Mach-Zehnder interferometer Phase modulation efficiency P-p-n-N 도파로 위상 변조기 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 Mach-Zehnder 간섭계 위상변조 효율 P-p-n-N waveguide phase modulator GaAs/AlGaAs ridge waveguide Mach-Zehnder interferometer Phase modulation efficiency