이은호 정광덕 주오심 최승철 2024-01-21T07:32:05Z 2024-01-21T07:32:05Z 2022-01-10 2004-03 1229-7801 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/137792 음극전착법을 이용하여 전도성유리(ITO-glass)위에 Cu2O막을 제조하였다. Cu2O막의 특성을 향상시키기 위하여 전착방법, 시간, 전압, 전착 후 열처리 조건을 변화시켰다. 전착 후 열처리를 통해 얻어진 전극에 100 ㎽/㎠의 백색광을 조사하여 광전류밀도를 측정하고, XRD, SEM, UV-visible spectrophotometer를 통해 제조 조건변화에 따른 특성변화를 관찰하였다. 그리고 100 ㎽/㎠의 백색광하에서 bias 전압이 0 V인 조건에서 전극의 안정성을 측정하였다. 인가전압 -0.7 V, 인가시간 300초 전착조건에서 얻어진 막을 300℃에서 1시간 열처리하여 순수한 Cu2O막을 제조하였으며, 이 전극을 이용 광전류밀도를 측정한 결과 1048 ㎂/㎠가 측정되었다. 또한 chemical deposition을 이용 TiO2 박막을 Cu2O막 위에 코팅하여 전극의 안정성을 향상시켰다. 한국세라믹학회 음극전착법을 이용한 Cu2O 막의 광전기 화학적 특성 Photoelectrochemical Characteristics for Cathodic Electrodeposited Cu2O Film on Indium Tin Oxide Article 2 한국세라믹학회지, v.41, no.3, pp.1 - 1 한국세라믹학회지 41 3 1 1 kci ART001096281 Cuprous oxide film cathodic-electrodeposition photocurrent density Chemical deposited TiO2 Cuprous oxide film cathodic-electrodeposition photocurrent density Chemical deposited TiO2