김형권 변영태 한상국 2024-01-21T07:45:23Z 2024-01-21T07:45:23Z 2022-01-10 2003-12 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/138034 Smart-cut 기술을 이용하여 SOI 제작에 필요한 표면 기포 형성(blistering)이 이온 주입 후 열처리 공정에 의해 연구되었다. 2.0 MV tandem 이온 가속기를 이용하여 95 keV의 주입에너지로 5 $\times$ 10$^{16}$ ions/cm$^2$의 수소 이온이 실리콘 시료에 주입되었다. 수소 이온이 주입된 실리콘 시료에서 표면 기포 형성이 열처리 온도와 시간에 따라 측정 되었다. 그 결과 표면 기포의 형성은 열처리 시간보다 열처리 온도에 더 많이 의존한다. 더욱이 표면 기포가 형성되기 시작하는 시간은 온도가 증가함에 따라 급격히 감소한다. 한국물리학회 SOI 제작을 위한 표면 기포 형성에 대한 실험적 고찰 Experimental Study of the Formation of Surface Blisters for SOI Fabrication Article 2 새물리, v.47, no.6, pp.449 - 454 새물리 47 6 449 454 kci other ART001199157 SOI Smart--cut Transport of ions in matter(TRIM) Blistering SOI Smart-cut Transport of ions in matter(TRIM) Blistering