임재구 최은하 박용주 박영민 송진동 최원준 한일기 조운조 이정일 2024-01-21T08:33:40Z 2024-01-21T08:33:40Z 2021-09-06 2003-08 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/138369 원자층에피성장(atomic layer epitaxy : ALE) 방법을 이용한 InAs/GaAs 자발형성 양자점에 In$_x$Ga$_{1-x}$As(x = 0.1, 0.2) ASRL(asymmetric strain release layer)를 양자점 상부에 도입하는 경우 양자점의 광학적 특성에 미치는 효과에 대해서 조사하였다. ASRL의 두께(t$_{ASRL}$)가 0 $\sim$ 5 nm로 두꺼워짐에 따라 InAs 양자점의 바닥상태 에너지준위인 E$_0$에 의한 PL peak 파장은 부분적인 스트레인 완화 효과로 인해 1240 nm에서 1256 nm로 증가한다. 그러나 ASRL의 두께가 양자점의 높이에 해당되는 7 nm 이상 되면 PL peak 파장은 1226 nm로 다시 감소한다. 이 같은 결과로 부터 양자점 높이 이상의 두께를 갖는 ASRL의 도입이 국부적인 III족 원소(In, Ga)의 상호 섞임 효과를 초래하여 PL 발광 파장에 큰 변화를 주는 것으로 해석하였다. 한국물리학회 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성에 미치는 InxGa1-xAs 비대칭 변형 완화층의 효과 Effects of an InxGa1-xAs Asymmetric Strain Release Layer on the Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots Article 2 새물리, v.47, no.2, pp.127 - 132 새물리 47 2 127 132 kci other ART001193809 원자층 에피성장 변형 완화층 상호섞임 광루미네선스 Atomic layer epitaxy Strain release layer Intermixing Photoluminescence