김한기 김경국 박성주 ·성태연 윤영수 2024-01-21T10:45:01Z 2024-01-21T10:45:01Z 2021-09-06 2002-04 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/139651 스퍼터로 성장시킨 n-ZnO:Al(3×1018 cm-3) 박막에 Ru 금속 박막을 이용하여 열적으로 안정하며 낮은 저항을 가지는 오믹 접촉을 제작하였다. 상온에서 2.1×10-3 Ωcm2의 비접촉 저항을 보이던 Ru 오믹 접촉은 열처리 온도를 증가시킴에 따라 I-V 특성이 향상되었고 특히 700℃에서 1분 동안 열처리 할 경우 3.2×10-5 Ωcm2의 낮은 비접촉 저항을 나타내었다. 또한 Ru 오믹 접촉 시스템은 고온에서도 안정한 특성을 나타내었는데 700℃에서의 고온 열처리 후에도 1.4 nm의 아주 낮은 rms 거칠기를 갖는 평탄한 표면을 나타내었다. 이와 같이 낮은 비접촉 저항과 열적 안정성은 Ru 오믹 접촉 시스템이 ZnO를 근간으로 하는 고성능의 광소자 및 고온소자에 적합한 오믹 접촉 시스템이라는 것을 말해준다. 또한 Ru 오믹 접촉의 비접촉 저항의 열처리 온도 의존성을 설명할 수 있는 메카니즘을 제시하였다. 한국진공학회 광소자용 n-ZnO 박막의 Ru 오믹 접촉 연구 Investigation of Ru ohmic contacts to n-ZnO thin film for optoelectronis devices Article 3 Applied Science and Convergence Technology, v.11, no.1, pp.35 - 42 Applied Science and Convergence Technology 11 1 35 42 ART000896191 ohmic contact