신재철 최원준 한일기 박용주 김은규 이정일 김희재 최정우 강광남 2024-01-21T11:12:18Z 2024-01-21T11:12:18Z 2021-09-06 2002-01 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/139875 반 절연 GaAs 기판위에 양자우물 적외선 검출기용 GaAs/AlGaAs 다중양자우물 구조를 성장하고 SiO$_2$ 유전체 덮개층을 이용한 양자우물 무질서 공정을 통하여 다중양자우물의 밴드갭을 청색이동(Blue shift) 시켰다. 양자우물 무질서 공정을 거친 시료를 이용하여 제작된 양자우물 적외선 검출기는 10 K의 온도에서 적외선 광원에 대한 최대 광 응답 특성이 8 $\mu$m 파장에서 10 $\mu$m 파장으로 적색 이동함을 확인 하였다. 한국물리학회 양자우물 무질서 공정을 이용한 양자우물 적외선 검출기의 반응대역 변화 Change of Spectral Response in a Quantum-well Infrared Photodetector by Using the Quantum-well Intermixing Technique Article 2 새물리, v.44, no.1, pp.55 - 59 새물리 44 1 55 59 kci other ART000883401 Quantum well infrared photodetector Quanum well intermixing 양자우물 적외선 검출기 양자우물 무질서공정