김용 박경화 정태훈 박홍준 이재열 최원철 김은규 2024-01-21T12:33:47Z 2024-01-21T12:33:47Z 2022-01-10 2001-04 1225-8822 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/140540 Korean 한국진공학회 급속열처리산화법으로 형성시킨 SiO₂/나노결정 Si의 전기적 특성 연구 Electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures containing Si nanocrystals fabricated by rapid thermal oxidation process. Article 2 한국진공학회지, v.10, no.1, pp.44 - 50 한국진공학회지 10 1 44 50 N other 급속열처리산화