이희택 최원준 우덕하 김선호 조재원 2024-01-21T13:35:50Z 2024-01-21T13:35:50Z 2022-01-10 2000-09 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/141125 한국물리학회 Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure InGaAs/InGaAsP 단일 양자우물구조의 impurity free vacancy disordering에서 유전체-반도체 덮개층 조합 효과 Article 2 새물리, v.41, no.3, pp.193 - 198 새물리 41 3 193 198 quantum well intermixing