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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;HJ</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Jung,&#x20;HJ</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Choi,&#x20;WK</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Cho,&#x20;BH</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Park,&#x20;CY</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="accessioned">2024-01-21T15:14:18Z</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="available">2024-01-21T15:14:18Z</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">Due&#x20;to&#x20;its&#x20;high&#x20;Young&amp;apos;s&#x20;modulus,&#x20;diamond&#x20;has&#x20;the&#x20;highest&#x20;acoustic&#x20;wave&#x20;velocity&#x20;among&#x20;all&#x20;materials&#x20;and&#x20;is&#x20;expected&#x20;to&#x20;be&#x20;a&#x20;candidate&#x20;substrate&#x20;for&#x20;high-frequency&#x20;surface&#x20;acoustic&#x20;wave&#x20;(SAW)&#x20;devices.&#x20;In&#x20;this&#x20;study,&#x20;the&#x20;deposition&#x20;of&#x20;ZnO,&#x20;as&#x20;a&#x20;piezoelectric&#x20;layer,&#x20;on&#x20;a&#x20;diamond&#x20;substrate&#x20;is&#x20;investigated.&#x20;ZnO&#x20;has&#x20;been&#x20;fabricated&#x20;by&#x20;using&#x20;RF&#x20;magnetron&#x20;sputtering&#x20;with&#x20;a&#x20;ZnO&#x20;target&#x20;and&#x20;various&#x20;Ar&#x2F;O-2&#x20;gas&#x20;ratios,&#x20;RF&#x20;powers,&#x20;and&#x20;substrate&#x20;temperatures&#x20;at&#x20;a&#x20;vacuum&#x20;of&#x20;10(-5)&#x20;Torr.&#x20;The&#x20;sputtered&#x20;ZnO&#x20;films&#x20;are&#x20;characterized&#x20;by&#x20;X-ray&#x20;diffraction&#x20;(XRD),&#x20;Rutherford&#x20;backscattering&#x20;spectroscopy&#x20;(RBS),&#x20;X-ray&#x20;photoelectron&#x20;spectroscopy&#x20;(XPS),&#x20;and&#x20;I-V&#x20;characteristics.&#x20;All&#x20;the&#x20;films&#x20;show&#x20;only&#x20;a&#x20;(002)&#x20;orientation,&#x20;The&#x20;atomic&#x20;concentration&#x20;of&#x20;the&#x20;sputtered&#x20;ZnO&#x20;films&#x20;is&#x20;changed&#x20;by&#x20;the&#x20;oxygen&#x20;gas&#x20;ratio,&#x20;and&#x20;the&#x20;ZnO&#x20;films&#x20;are&#x20;grown&#x20;with&#x20;a&#x20;homogeneous&#x20;composition&#x20;over&#x20;their&#x20;entire&#x20;thickness.&#x20;The&#x20;electrical&#x20;resistivity&#x20;of&#x20;the&#x20;films&#x20;varied&#x20;from&#x20;4x10(3)&#x20;to&#x20;7x10(8)&#x20;Ohm&#x20;cm,&#x20;depending&#x20;on&#x20;the&#x20;Ar&#x2F;O-2&#x20;gas&#x20;ratio.&#x20;The&#x20;phase&#x20;velocity&#x20;achieved&#x20;by&#x20;using&#x20;the&#x20;ZnO&#x2F;IDT&#x2F;diamond&#x20;structure&#x20;was&#x20;about&#x20;6,000&#x20;m&#x2F;sec.</dcvalue>
<dcvalue element="language" qualifier="none">English</dcvalue>
<dcvalue element="publisher" qualifier="none">KOREAN&#x20;PHYSICAL&#x20;SOC</dcvalue>
<dcvalue element="subject" qualifier="none">ZNO&#x20;FILMS</dcvalue>
<dcvalue element="title" qualifier="none">Characteristics&#x20;of&#x20;ZnO&#x2F;diamond&#x20;thin&#x20;films&#x20;prepared&#x20;by&#x20;RF&#x20;magnetron&#x20;sputtering</dcvalue>
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<dcvalue element="identifier" qualifier="bibliographicCitation">JOURNAL&#x20;OF&#x20;THE&#x20;KOREAN&#x20;PHYSICAL&#x20;SOCIETY,&#x20;v.35,&#x20;pp.S517&#x20;-&#x20;S520</dcvalue>
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