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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Park,&#x20;HH</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Jin,&#x20;IS</dcvalue>
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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;TS</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">The&#x20;effect&#x20;of&#x20;excess&#x20;Pb&#x20;and&#x20;O&#x20;content&#x20;on&#x20;the&#x20;ferroelectric&#x20;properties&#x20;of&#x20;Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3&#x2F;Pt&#x20;system&#x20;has&#x20;been&#x20;investigated.&#x20;PZT&#x20;films&#x20;were&#x20;sputter-deposited&#x20;from&#x20;a&#x20;target&#x20;containing&#x20;50%&#x20;excess&#x20;Pb&#x20;and&#x20;O&#x20;on&#x20;a&#x20;substrate&#x20;heated&#x20;at&#x20;520&#x20;degrees&#x20;C.&#x20;This&#x20;permitted&#x20;the&#x20;PZT&#x20;films&#x20;to&#x20;be&#x20;crystallized&#x20;directly&#x20;to&#x20;a&#x20;perovskite&#x20;phase.&#x20;The&#x20;excess&#x20;content&#x20;of&#x20;Pb&#x20;and&#x20;O&#x20;in&#x20;the&#x20;sputter-deposited&#x20;PZT&#x20;films&#x20;were&#x20;controlled&#x20;by&#x20;successive&#x20;furnace-annealing&#x20;at&#x20;500&#x20;degrees&#x20;C&#x20;by&#x20;varying&#x20;the&#x20;annealing&#x20;time.&#x20;Polarization-switching&#x20;field&#x20;(P-E),&#x20;current-applying&#x20;electric&#x20;field&#x20;(I-E),&#x20;and&#x20;fatigue&#x20;property&#x20;measurements&#x20;were&#x20;done&#x20;after&#x20;rapid&#x20;thermal&#x20;annealing&#x20;(RTA)&#x20;of&#x20;the&#x20;films&#x20;at&#x20;600&#x20;and&#x20;700&#x20;degrees&#x20;C.&#x20;The&#x20;700&#x20;degrees&#x20;C-treated&#x20;PZT&#x20;film&#x20;containing&#x20;26%&#x20;of&#x20;excess&#x20;Pb&#x20;before&#x20;RTA&#x20;showed&#x20;better&#x20;ferroelectric&#x20;properties&#x20;than&#x20;the&#x20;600&#x20;degrees&#x20;C-treated&#x20;film.&#x20;On&#x20;the&#x20;contrary,&#x20;a&#x20;degradation&#x20;of&#x20;ferroelectric&#x20;properties&#x20;was&#x20;observed&#x20;with&#x20;the&#x20;700&#x20;degrees&#x20;C-treated&#x20;films&#x20;containing&#x20;17&#x20;or&#x20;5%&#x20;of&#x20;excess&#x20;Pb&#x20;before&#x20;RTA.&#x20;These&#x20;two&#x20;opposed&#x20;effects&#x20;of&#x20;high&#x20;temperature-RTA&#x20;treatment&#x20;on&#x20;the&#x20;ferroelectric&#x20;properties&#x20;of&#x20;the&#x20;PZT&#x20;films&#x20;could&#x20;be&#x20;explained&#x20;using&#x20;a&#x20;space&#x20;charge&#x20;model.&#x20;(C)&#x20;1998&#x20;Elsevier&#x20;Science&#x20;S.A.&#x20;All&#x20;rights&#x20;reserved.</dcvalue>
<dcvalue element="language" qualifier="none">English</dcvalue>
<dcvalue element="publisher" qualifier="none">ELSEVIER&#x20;SCIENCE&#x20;SA</dcvalue>
<dcvalue element="subject" qualifier="none">THIN-FILMS</dcvalue>
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<dcvalue element="identifier" qualifier="bibliographicCitation">THIN&#x20;SOLID&#x20;FILMS,&#x20;v.332,&#x20;no.1-2,&#x20;pp.300&#x20;-&#x20;304</dcvalue>
<dcvalue element="citation" qualifier="title">THIN&#x20;SOLID&#x20;FILMS</dcvalue>
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