이정욱 유지범 양형국 박종철 변동진 금동화 2024-01-21T18:05:07Z 2024-01-21T18:05:07Z 2022-01-10 1997-09 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/143601 Growth of a thick GaN film on ZnO/sapphire using hydride vapor phase epitaxy ZnO 완충층을 이용한 sapphire 기판위에 hydride vapor phase epitaxy에 의한 후막 GaN의 성장특성 Article 3 응용물리 = Ungyong Mulli (The Korean physical society)., v.10, no.5, pp.458 - 462 응용물리 = Ungyong Mulli (The Korean physical society). 10 5 458 462 GaN film hydride vapor phase epitaxial growth ZnO buffer layer