이정욱 유지범 변동진 금동화 2024-01-21T18:14:06Z 2024-01-21T18:14:06Z 2022-01-10 1997-06 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/143753 Study on the growth characteristics of thick GaN on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy Hydride vapor phase epitaxy를 이용한 sapphire 기판 상에 GaN 후막의 성장특성에 관한 연구 Article 3 한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.7, no.6, pp.492 - 497 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 7 6 492 497 GaN film hydride vapor phase epitaxial growth ZnO buffer layer