김성일 김무성 김용 황성민 민병돈 손창식 김은규 민석기 2024-01-21T19:14:44Z 2024-01-21T19:14:44Z 2022-01-10 1996-09 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/144322 MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 Article 3 응용물리 = Ungyong Mulli (The Korean physical society), v.9, no.5, pp.636 - 641 응용물리 = Ungyong Mulli (The Korean physical society) 9 5 636 641 MOCVD GaAs/AlGaAs lateral growth rate CCl4 gas