민병돈 황성민 손창식 김성일 김무성 김은규 민석기 박만장 2024-01-21T19:36:25Z 2024-01-21T19:36:25Z 2022-01-10 1996-05 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/144456 여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성 Article 3 응용물리 = Ungyong Mulli (The Korean physical society), v.9, no.3, pp.372 - 376 응용물리 = Ungyong Mulli (The Korean physical society) 9 3 372 376 MOCVD GaAs epi-layer carbon doping substrate orientation