김용 김성일 민석기 엄경숙 김무성 곽병현 마동성 2024-01-21T23:36:38Z 2024-01-21T23:36:38Z 2022-01-10 1992-01 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/146667 저압 MOCVD 에 의한 GaAs 에피층의 Carbon 도핑특성 . Article 3 응용물리, v.v. 5, no.no. 12, pp.586 - 590 응용물리 v. 5 no. 12 586 590 저압 MOCVD GaAs carbon-doping