김용 김무성 김은규 조훈영 김현수 민석기 2024-01-21T23:47:35Z 2024-01-21T23:47:35Z 2022-01-10 1991-02 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/146845 MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . Article 3 새물리, v.v. 31, pp.31 - 37 새물리 v. 31 31 37 MOCVD GaAs-on-Si DLTS hydrogenation