강광남 이정일 이명복 임한조 J. A. Baglio N. Decola 2024-01-22T00:04:48Z 2024-01-22T00:04:48Z 2022-01-10 1991-01 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/146910 A study on the interface states and capacitance-voltage behavior of InP MIS diode fabricated by plasma assisted oxidation. 원격 플라즈마 산화법에 의해 제작된 InP MIS 다이오드의 C-V 특성 및 계면상태에 관한 연구 = Article 3 새물리, v.v. 31, no.no. 3, pp.296 - ? 새물리 v. 31 no. 3 296 ? InP MIS 다이오드