김용 김무성 강명구 오환술 엄경숙 민석기 2024-01-22T00:05:17Z 2024-01-22T00:05:17Z 2022-01-10 1991-01 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/146918 MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 . Article 3 전자공학회지, v.v. 28, no.no. 8, pp.48 - ? 전자공학회지 v. 28 no. 8 48 ? delta-doped FET MOCVD etching