김은규 조훈영 홍치유 민석기 이호섭 강태원 2024-01-22T00:32:17Z 2024-01-22T00:32:17Z 2022-01-10 1990-02 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/147145 Si 이온주입된 반절연성 GaAs:Cr 의 열처리에 따른 깊은 준위연구 . Article 3 새물리, v.v. 30, no.no. 1, pp.41 - 46 새물리 v. 30 no. 1 41 46 Si ion implantation semi-insulating GaAs:Cr thermal annealing deep level