김은규 조훈영 김성일 민석기 2024-01-22T00:42:03Z 2024-01-22T00:42:03Z 2022-01-10 1989-10 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/147303 Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . Article 3 새물리, v.v. 29, no.no. 5, pp.591 - 596 새물리 v. 29 no. 5 591 596 excimer laser HB-GaAs deep level