김용 김무성 김현수 민석기 2024-01-22T01:10:39Z 2024-01-22T01:10:39Z 2022-01-10 1988-07 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/147561 (100) 실리콘 기판위에 MOCVD 법으로 성장된 GaAs 에피층의 결정구조 특성 . Article 3 응용물리, v.v. 1, pp.121 - ? 응용물리 v. 1 121 ? X-ray diffraction GaAs-on-Si MOCVD