강광남 최병진 2024-01-22T01:16:49Z 2024-01-22T01:16:49Z 2022-01-10 1988-01 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/147661 Hot-carrier-induced deradation in submicron MOS transistors. Submicron MOS 트랜지스터의 뜨거운 운반자에 의한 노쇠 현상 = Article 3 전자공학회논문지, v.v. 25, no.no. 7, pp.780 - ? 전자공학회논문지 v. 25 no. 7 780 ? MOS transistors