김은규 조훈영 한철원 김춘근 민석기 2024-01-22T01:31:49Z 2024-01-22T01:31:49Z 2022-01-10 1987-12 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/147694 RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I). Article 3 새물리, v.27, no.6, pp.674 - 679 새물리 27 6 674 679 RTA HB-GaAs ICTS EL2