GaAs기판상에 나노 구조를 이용하여 격자상수차이를 극복하여 성장된 1um 두께의 고품질 InSb (47,000cm2/Vs) - SONG, JIN-DONG; Lim Ju-Young; Choi, Won Jun; Chang, Joonyeon; Han, Suk Hee (2007)