1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성 - 유영채; 이정일; 김경찬; 김은규; 김길호; 한일기 (한국진공학회, 2006)
MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 1.5 ㎛의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3dB 파장대역폭은 55 nm 이었다