V2O5 도핑한 페라이트 페이스트로 제조된 칩인덕터의 자기적 특성 - 제해준 (한국자기학회, 2003)
NiCuZn 페라이트에 V2O5를 0~0.5 wt% 첨가하여 페라이트 페이스트를 준비한 후, 스크린 인쇄법으로 내부전극이 4.5회 회전된 임의의 크기(7.7×4.5×1.4 mm)의 칩인덕터를 제조하여, V2O5 첨가량에 따른 미세구조 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. V2O5 첨가량이 증가할수록 액상소결이 발달하여 페라이트 입계에 내부전극 Ag의 확산과 Cu 석출 현상이 촉진되고, 이로 인하여 과대입자성장이 발달되었다. 이러한 현상은 칩인덕터의 자기적 특성에 큰 영향을 미쳐, 900 oC에서 소결된 V2O5 0.5 wt% 첨가 시편의 주파수 10 MHz에서의 인덕턴스 값이 3.7 mH로 0.3 wt% 첨가 시편의 4.2 mH보다 작게 나타났는데, 이는 Ag와 Cu의 석출량이 많아짐에 따라 잔류응력 발생이 심화되기 때문으로 생각된다. 또한 V2O5 0.5 wt% 첨가한 시편의 경우 소결온도가 증가함에 따라 품질계수 값이 감소하였는데, 이 결과도 페라이트 입계에서의 Ag나 Cu의 금속성분의 석출량 증가 및 과대입자성장에 의한 입자크기 증대로 인하여 전체 전기비저항이 감소되기 때문인 것으로 생각된다. 결론적으로 자기적 특성을 고려할 때 0.3 wt%가 적정 첨가량으로 나타났다.