포토리소그래피 공정만을 이용한 단일벽 탄소 나노튜브의 자가 조립 공정에 대한 연구와 단일벽 탄소나노튜브 다중채널 전계효과 트랜지스터 제작

Abstract

본 논문에서 우리는 오직 포토리소그래피 (photolithography) 공정만을이용하여 단일벽 탄소 나노튜브 (single-walled carborn nanotube;SWNT)를 실리콘 기판위에 선택적으로 흡착시키는 공정 방법과 이를이용한 전계효과 트랜지스터 (field emission transistor; FET)의제작방법에 대해 고찰하였다. 산화막(SiO₂)이 형성된 실리콘 기판위에포토리소그래피 공정을 이용하여 임의의 포토레지스트 패턴이형성되었다. 포토레지스트 패턴된 기판은 SWNT가 분산된 다이클로로벤젠(dichlorobenzene)용액 속에 담가진다. 다음은 포토레지스트 패턴이제거되고, 결과적으로 octadecyltrichlorosilane (OTS)를 사용하는기존의 복잡한 화학적 과정 없이도 소오스와 드레인 전극사이에선택적으로 SWNT 채널들이 자기조립 되었다. 이 자기조립공정이이용됨으로서 SWNT가 멀티 채널로 구성된 다중채널 FET가 성공적으로제작되었다.