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dc.contributor.author한일기-
dc.contributor.author유영채-
dc.contributor.author이정일-
dc.date.accessioned2024-01-21T00:32:39Z-
dc.date.available2024-01-21T00:32:39Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2007-09-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/134133-
dc.description.abstract기저준위의 중심 피크가 1.3 ㎛인 다층 양자점 구조를 사용하여 트렌치 구조를 가진 J-형태의 고휘도 발광소자 (superluminescent diodes)를 제작하였다. 도파로와 트렌치 구조 사이의 간격이 좁아지면서 광출력이 최대 20배까지 증가하였음을 확인하였다. 전류의 증가에 의한 EL 피크 측정결과 트렌치 구조를 가진 경우에 여기준위의 피크가 기저준위의 피크보다 수 십배 증가하는 것을 확인하였고, 이로부터 트렌치 증가에 의한 광출력의 증가는 양자점의 여기준위에 의한 것으로 판단하였다.-
dc.publisher한국진공학회-
dc.titleTrench 구조를 이용한 단일모드형 고휘도 발광소자의 광출력 증가-
dc.title.alternativeOptical power enhancement of superluminescent diodes utilizing trench-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass3-
dc.identifier.bibliographicCitationApplied Science and Convergence Technology, v.16, no.5, pp.353 - 358-
dc.citation.titleApplied Science and Convergence Technology-
dc.citation.volume16-
dc.citation.number5-
dc.citation.startPage353-
dc.citation.endPage358-
dc.identifier.kciidART001075574-
dc.subject.keywordAuthorSuperluminescent diodes-
dc.subject.keywordAuthorJ-shape-
dc.subject.keywordAuthorQuantum dots-
dc.subject.keywordAuthorTrench structure-
dc.subject.keywordAuthor고휘도 발광소자-
dc.subject.keywordAuthorJ-형태-
dc.subject.keywordAuthor양자점-
dc.subject.keywordAuthor트렌치 구조-
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