GOI 제작을 위한 연마공정이 웨이퍼의 직접 접합력에 미치는 효과

Abstract

높은 열처리 온도를 갖는 GaAs-on-Insulator (GOI) 제조에 필요한 웨이퍼직접접합 공정이 GaAs와 Si 사이에 있는 PECVD 산화막의 연마공정을이용하여 연구되었다. 초기 접합된 웨이퍼에 균일한 압력을 인가하기위해 흑연시료 장치가 이용되었다. 그리고 장력 (tensile force) 측정장치가 웨이퍼의 접합력을 측정하는데 이용되었다. 약 5000 \AA 의 PECVD 산화막이 610 g의 시료 고정장치를 이용하여 연마된 후, 초기 접합된GaAs/SiO$_2$/Si 웨이퍼는 300 $^\circ$C 부터 500 $^\circ$C까지 열처리되었다. 접합된 웨이퍼는 400 $^\circ$C의 열처리 온도에서 85 N의 최대접합력이 얻어졌다. 그리고 접합된 GOI 웨이퍼는 500 $^\circ$C의 열처리온도까지 분리되지 않았다.