GOI 제작을 위한 PECVD 산화막이 직접 웨이퍼 접합력에 미치는 효과

Abstract

Smart-cut 기술을 응용하여 GaAs-on-Insulator (GOI) 웨이퍼 제작에 필요한 웨이퍼 직접접합 공정이 GaAs와 Si 사이의 PECVD 산화막을 이용하여 연구되었다. 초기 접합된 웨이퍼와 열처리된 웨이퍼의 접합력을 측정하기 위해 장력 (tensile force) 측정 장치가 제작되었다. PECVD 산화막의 두께가 각각 3500 \AA 과 5000 \AA 일 때 최대 접합력은 200 $\sim$ 300 $^\circ$C과 400 $\sim$ 500 $^\circ$C의 온도 영역에서 각각 73 N과 84 N 이었다. PECVD 산화막의 두께가 5000 \AA 일 때 GOI 웨이퍼의 열처리 온도는 Ohmic 전극을 제작하기에 충분히 높다.