이중 크기분포를 가지는 자발형성 InAs 양자점의 광특성 평가

Abstract

서로 다른 성장조건 하에서 자발형성 InAs 양자점 (quantum dot, QD)을 제작하고, 그 특성을 photoluminescence (PL) 로 분석하였다. 비교적 높은 기판온도에서 성장된 QD 시료들의 PL 스펙트럼에서 분명한 차이를 나타내는 double­peak이 관측되었다. 온도 및 여기광 출력의존성 (temperature­ and excitation power dependence) PL을 이용하여 그 double­peak이 서로 다른 크기분포를 가지는 두개의 InAs QD집단에서의 기저발광 (Eo) 에 의한 peak 임을 알 수 있었다. 게다가 이중크기분포에서 InAs 두께변화는 서로 대립되는 두 QD집단에서 QD 수의 변화를 초래한다는 것 또한 증명하였다.