DSpace at KISTKIST Patent2012

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dc.contributor.author강종윤-
dc.contributor.author김성근-
dc.contributor.author김진상-
dc.contributor.author문선영-
dc.contributor.author백승협-
dc.contributor.author윤석진-
dc.contributor.author최지원-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:20:01Z-
dc.date.available2015-12-04T08:20:01Z-
dc.date.issued20121022-
dc.identifier.other1020120117042-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020120117042en_US
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/51503-
dc.description.abstract본 발명은 산화물 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 산화물 기판-
dc.description.abstract상기 산화물 기판 상에 형성되고, 상기 산화물 기판과 이종(異種)인 산화물을 포함하여, 상기 산화물 기판과의 접합 계면에서 이차원 전자가스(2DEG, two-dimensional electron gas)층을 발생시키는 산화물 박막층-
dc.description.abstract및 상기 산화물 기판과 산화물 박막층의 접합 계면에서 발생되는 이차원 전자가스(2DEG)층과 연결된 전극 배선을 포함하는 산화물 센서를 제공한다. 또한, 본 발명은 산화물 기판 상에, 상기 산화물 기판과 이종(異種)인 산화물을 증착시켜, 상기 산화물 기판과의 접합 계면에서 이차원 전자가스(2DEG)층을 발생시키는 산화물 박막층을 형성하는 단계-
dc.description.abstract상기 산화물 박막층을 에칭(etching)하는 단계-
dc.description.abstract및 상기 에칭된 부분에 전도성 물질을 증착하여 이차원 전자가스(2DEG)층과 연결된 전극 배선을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 이종(異種)의 산화물 계면에서 발생된 이차원 전자가스(2DEG)의 전기 전도도가 변하는 원리가 이용되어, 초박막으로도 감도가 높아 초슬림화를 구현할 수 있으며, 제조 공정이 간단하여 저렴한 가격으로 보급될 수 있다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title산화물 센서 및 그 제조방법-
dc.typePatent-
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KIST Patent > 2012
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