2형 양자우물을 포함하는 ｐ형 반도체 소자 및 그 제조 방법.

Abstract

본 발명은 전자친화도 및 일함수 차이가 큰 반도체층을 이용하여 생성된 2형 양자우물을 이용하여 2차원 정공가스(2DHG)를 제조하는 방법과 이를 이용한 고속 p형 반도체 소자에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 2차원 정공가스 제조 방법은 반도체 기판을 제공하는 단계

반도체 기판 위에 제1반도체층을 성장시키고, 제1반도체층 위에 제1반도체층과 전자친화도 또는 밴드갭이 상이한 제2반도체층을 성장시키고, 제2반도체층위에 제2반도체층과 전자친화도 또는 밴드갭이 상이한 제3반도체층을 성장시킴으로써 2형 양자우물을 형성하는 단계

2형 양자우물 주변에 p형 도핑층을 형성하여 2차원 정공가스를 생성하는 것을 특징으로 한다.