실리콘 기판위에 단결정 ＣｄＴｅ 박막을 제조하는 방법

Abstract

본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계

2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계

3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.