듀얼 전극 구조를 적용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Abstract

박막 트랜지스터는, 채널층

상기 채널층의 한쪽 면과 접촉하며 서로 이격된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극

및 상기 채널층의 다른쪽 면과 접촉하며 서로 이격된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 서로 이격된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 형성하는 단계

상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극을 부분적으로 덮는 채널층을 형성하는 단계

및 상기 제1 소스 전극, 상기 채널층 및 상기 제1 드레인 전극상에 서로 이격된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극에 듀얼 전극 구조를 적용하여, 종래의 박막 트랜지스터에 비해 저전압에서 구동이 가능한 이점이 있다. 또한 같은 전자이동도를 가지면서도 디스플레이 픽셀에서 박막 트랜지스터가 차지하는 부분을 줄여, 빛을 막는 부분을 줄일 수 있어 발광 효율을 높일 수 있다.