은 및 ＩＩＩ족 원소에 의해 상호 도핑된 산화아연계 박막의 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 박막

Abstract

박막 형성 방법은, 기판상에 은 및 III족 원소에 의하여 상호 도핑된 산화아연을 포함하는 박막을 형성하는 단계

및 상기 박막 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 박막을 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 이때 박막을 형성하는 단계는, 은 및 III족 원소에 의하여 상호 도핑된 산화아연을 포함하는 타겟 물질 및 기판을 제공하는 단계

상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계

및 기화된 상기 타겟 물질을 상기 기판상에 박막으로 증착시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 박막 형성 방법은 은 및 III족 원소가 상호 도핑된 박막을 열처리함으로써, 박막 내의 산소 공공(vacancy)을 감소시켜 p형 전도 특성을 향상시킬 수 있다.