은이 도핑된 산화아연 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Abstract

박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계

은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계

및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 채널층을 형성하는 단계는, 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계

및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 포함할 수 있다.