단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공정과 산소플라즈마 표면처리를 이용하여 단일벽 카본나노튜브(single-walled carbon nanotube

SWNT)를 기판에 선택적으로 조립하는 공정 방법에 관한 것이다. 기존에 단일벽 탄소나노튜브를 기판상에 특정한 영역에 자기조립하기 위해 사용하는 OTS 폴리머 공정을 제거하고 포토레지스트만을 이용하여 패턴을 만들기 때문에 공정이 단순하고, 비용이 절감되는 효과가 있다. 또한 기존의 단일벽 탄소나노튜브 공정에 이용되지 않은 산소 플라즈마 표면처리를 함으로서 단일벽 탄소나노튜브가 조립되는 영역을 소수성에서 친수성 표면으로 변환시켜 단일벽 탄소나노튜브가 효율적으로 조립되게 한다. 따라서 본 발명은 나노소자의 대량생산에 적합하고 전자소자 및 바이오센서로 응용 가능한 단일벽 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor) 소자를 제작할 수 있는 공정기술과 직접적인 관련이 있다.