박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Abstract

박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 채널층은 카드뮴(Cd), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 및 수은(Hg)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 및 아연(Zn)이 포함된 산화물을 포함하여 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터는 상부 게이트 방식 또는 하부 게이트 방식로 구현될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 채널층을 상온에서 증착할 수 있으므로 공정이 용이하며, 인듐(In)을 사용하지 않아 생산 단가를 낮출 수 있다.