나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법

Abstract

본 발명은 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기존의 나노구조 물질(나노튜브, 나노와이어)를 이용한 FET 소자 및 이를 이용한 화학센서와 바이오센서에서 전류운반능력과 전하(전자 또는 정공) 이동도를 향상시킬 수 있도록 한 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 레이저 간섭 리소그라피 공정을 통해 나노선 배열을 제조하는 단계

상기 나노선 배열에 용액공정을 통해 나노물질을 자기조립하는 단계

및 상기 나노물질이 자기조립된 나노선 배열을 이용하여 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다.