펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법

Abstract

본 발명은 새로운 방식의 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition: PLD)에 의하여 수십 나노미터 크기의 미세한 반도체 나노구조체를 합성하고, 더욱 나아가 나노선을 원하는 모양으로 정렬시키는 일련의 장치 및 공정기술을 그 내용으로 한다. 본 발명에서는 기존의 방식인 내부 기판 가열방식(Cold-wall type)이 아니라 반응관을 외부에서 가열하는 방식(Hot-wall type)인 것과 합성온도가 기존공정에 비해 매우 높은 500~1500℃인 것을 가장 큰 특징으로 한다. 이 방법에 의해서 직경이 매우 가는 ZnO, CdSe, Si 반도체 나노선을 고밀도로 합성할 수 있고, 더 나아가 다양한 형태의 나노구조체를 합성할 수 있다. 또한, 고온공정에 의해 촉매인 금 패턴 위에서 선택적인 나노구조체의 성장이 가능하며 전기적 특성 제어를 위한 도핑이 용이하다. 이러한 공정기술은 광전자소자, 레이저, 화학센서 등 다양한 나노소자의 대량생산에 효과적으로 활용할 수 있다. 나노선, 산화아연, 나노구조체, 펄스 레이저 증착법(PLD), 금 촉매