MoSi₂―SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법

Title
MoSi₂―SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법
Authors
김긍호도정만손근형윤진국이경환이종권홍경태
Issue Date
2004-07-01
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 몰리브덴, 니오비움, 탄탈륨, 텅스텐 등과 같은 고융점 금속들 및 이들의 합금들과 같이 우수한 고온 내산화성을 필요로 하는 소재들 표면상에 형성된 MoSi2-SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재들 표면에 몰리브덴 탄화물 코팅층 (MoC, Mo2C)을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 MoSi2-SiC 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 방법으로 제조된 MoSi2-SiC 나노 복합 피복층은 등축정의 MoSi2 결정입계에 SiC 입자들이 분포된 미세조직을 특징으로 하며, MoSi2-SiC 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 입자들의 부피 분율을 조절하여 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 MoSi2-SiC 나노 복합 피복층이 가능하다. 따라서, 모재와 MoSi2-SiC 나노 복합 피복층의 열팽창계수차에 의해서 생성될 수 있는 크랙의 발생을 근원적으로 억제함으로써 고온 반복 내산화성 및 저온 내산화성이 향상되고, 피복층의 기계적성질의 개선되어 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제할 수 있다.
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KIST Patent > 2004
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