실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법

Abstract

본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 나노선에 에르븀(Er)을 도핑한 후 산화시켜 실리콘 나노선의 표면에 이산화규소막을 형성시킴으로써, 산화에 의한 실리콘 나노선 지름의 감소로 양자구속효과 및 광전 변환 효과가 부여되고, 여기에 전류를 인가할 경우 실리콘 나노선의 광전 변화효과에 의하여 발생한 광이 상기 도핑된 에르븀을 여기 및 감쇄시켜 1.5 ㎛ 파장대의 광을 효과적으로 발생시킬 수 있으며, 또한 상기 산화에 따라 형성된 이산화규소막에 의한 실리콘 나노선의 극소캐비티 효과에 의하여 상기 1.5 ㎛ 파장대의 광이 효과적으로 증폭시킬 수 있기 때문에 실제 광소자에 충분히 응용가능한 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.